Our research group focuses on a family of semiconductors called wide bandgap (GaN and ZnO) and ultra-wide bandgap (diamond, AlN and Ga2O3). The driving force is the development of innovative electronic devices based on these materials for power electronics, light emitting devices and sensors. For this purpose, our activities include fundamental studies such as heterostructures, electron or exciton transport in nanowires, impurity centres or electron-phonon coupling and superconductivity, as well as the technological developments necessary for the fabrication of devices with tailored electronic properties, such as epitaxial growth with in-situ control, nanofabrication, impurity incorporation and gate oxide deposition.
Diamond device
Plasma image during plasma enhanced chemical vapor deposition diamond growth
Ensemble of AlN nanowires pn junction: contact and electrical measurement
Position type: Thèses financées
Contact: Philippe FERRANDIS - 0476887464
La transition écologique dans laquelle s’engage de plus en plus de pays conduit l’industrie microélectronique à s’orienter vers la durabilité. Basée sur cette tendance, la nouvelle génération de composants de puissance intègre désormais des matériaux semi-conducteurs à bande interdite ultra-large, tels que l’oxyde de gallium (Ga2O3) ou le nitrure d’aluminium (AlN). Ils permettent de fabriquer des composants qui supportent des tensions élevées avec de faibles pertes d’énergie en fonctionnement et par échauffement. Le stage s’inscrit dans ce contexte et celui du projet ALOFET (2024-2028) financé par l’Agence Nationale de la Recherche. Ce projet vise à développer une nouvelle architecture de transistors à haute mobilité d’électrons (HEMTs) à partir d’une hétérostructure Ga2O3/AlN, capable de supporter des tensions supérieures au kilovolt. Ces transistors ont pour vocation d’intégrer des convertisseurs de tension, des onduleurs, des hacheurs, … qui seront ensuite insérés dans des véhicules électriques, des installations de panneaux solaires, des parcs d’éoliennes, etc… Les composants de puissance en oxyde de gallium ont le potentiel pour répondre aux applications couvertes par les technologies SiC et GaN, tout en donnant accès à de nouveaux champs applicatifs.
Person in charge: David EON
Students & Post-docs & CDD
Invited & Others
Philippe FERRANDIS
Personnel Chercheur - UGA
philippe.ferrandis@neel.cnrs.fr
Phone: 04 76 88 74 64
Office: D-417
Etienne GHEERAERT
Personnel Chercheur - G-INP
Etienne.Gheeraert@neel.cnrs.fr
Phone: 04 56 38 70 84
Office: D-309
Claire LEONHART
Personnel Chercheur - G-INP
Phone: 04 76 88 74 72
Office: D-315
Referent: Etienne GHEERAERT
Coralie PERRIER
Personnel Chercheur - UGA
Phone: 04 76 88 74 69
Office: D-423
Referent: Philippe FERRANDIS
Marine REGNIER
Personnel Chercheur - CNRS
Phone: 04 76 88 74 69
Office: D-423
Referent: Etienne GHEERAERT
Alvaro REVILLA MARTIN
Personnel Chercheur - CEA
alvaro.revilla-martin@neel.cnrs.fr
Office: CEA-X
Referent: Gwénolé JACOPIN
Pablo SAENZ-DE-SANTA-MARIA-MODRONO
Personnel Chercheur - CNRS
pablo.saenz-de-santa-maria-modrono@neel.cnrs.fr
Referent: Gwénolé JACOPIN
Saron Rosy SALES DE MELLO
Personnel Chercheur - UGA
saron-rosy.sales-de-mello@neel.cnrs.fr
Phone: 04 76 88 11 83
Office: D-312
Referent: Gwénolé JACOPIN
Marielena VELASCO ENRIQUEZ
Personnel Chercheur - UGA
marielena.velasco-enriquez@neel.cnrs.fr
Phone: 04 76 88 74 69
Office: D-423
Referent: Philippe FERRANDIS
Corentin GUERIN
Personnel Chercheur - CEA
Office: CEA-X
Referent: Gwénolé JACOPIN