Une centrale de micro-nanofabrication dédiée à la réalisation d’objets pour la recherche fondamentale, essentiellement par des techniques de Lithographie
La Plateforme Nanofab est totalement insérée dans un laboratoire de recherche, très ouverte aux autres laboratoires (CEA, CNRS, UGA, G-INP) dans son fonctionnement et destinée à la réalisation d’objets nanométriques, souvent uniques en utilisant un nombre limité d’étapes lithographiques. Les demandes des équipes de recherches, issues ou non du monde « nano » sont souvent très « exotiques » en termes de besoins technologiques. Nanofab est ainsi souvent amené a développer des solutions techniques originales, parfois spécifiques à un échantillon, et aussi parfois à orienter ces projets vers d’autres centrales plus compétentes dans le domaine.
La salle blanche accueille chercheurs et étudiants de l’Institut Néel et des Laboratoires voisins. Thésards, post-docs et stagiaires sont formés aux techniques de nanofabrication. Des Travaux Pratiques sont organisés à destination des étudiants de l’UGA ( TP Cesire) ou de l’ESONN.
La salle blanche a une superficie de 220 m2. Elle est installée dans le nouveau Bâtiment Nanosciences de l’Institut Neel inauguré en 2013.
Semiconductor p-n junctions are basic building blocks for devices like solar cells, avalanche photodetectors or light emitting diodes. To implement the junction, the electrical properties of semiconducting materials are engineered by adding dopant atoms that donate or accept an electron from conduction or band valence, respectively. In this way the density of mobile charges can be tuned over several orders of magnitude. It is very well known that a transition from one type of dopant to the other kind will generate a so-called p-n junction, giving rise to rectifying current voltage characteristics and potentially light emission, for example in light emitting diodes. However, challenges remain to control and measure the electrically active doping levels in semiconducting materials with nm precision, especially in wide bandgap materials with high dopant activation energies.
The electrical properties of semiconducting materials can be engineered by adding dopant atoms to the lattice, that donate or accept an electron from conduction or band valence, respectively. In this way the density of mobile charges can be tuned over several orders of magnitude. It is very well known that a transition from one type of dopant to the other kind will generate a so-called p-n junction, giving rise to rectifying current voltage characteristics and potentially light emission, for example in light emitting diodes. However, challenges remain to control and measure the electrically active doping levels in semiconducting materials with nm precision, especially in wide bandgap materials with high dopant activation energies. At nm scale the build in electric field at the pn junction gives rise to an electron beam induced current, allowing to study the junction properties.
Lithographie électronique et ionique (FIB)
