L’objectif de la thèse est de détecter les défauts électriquement actifs dans les couches actives du transistor par Deep-Level Transient Spectroscopy, Deep-Level Optical Spectroscopy et spectroscopie d’admittance au sein de l’Institut Néel. Cette étude sera complétée par des mesures de mobilité des électrons situés dans le canal du transistor par effet Hall en fonction de la température au Laboratoire Charles Coulomb (L2C). Les résultats expérimentaux conduiront à une meilleure compréhension des mécanismes de transport en jeu dans les différents composants. Des échanges réguliers entre les laboratoires chargés de la caractérisation (Néel et L2C) et de la fabrication des dispositifs (CRHEA et IEMN) auront pour but d’améliorer les performances des transistors de puissance opérant à haute fréquence et d’augmenter leur tension de claquage.

L’objectif du stage est de détecter les défauts électriquement actifs dans les couches actives des composants par des mesures de courant-tension, capacité-tension, spectroscopie de transitoires de niveaux profonds électrique et optique, spectroscopie d’admittance, etc… Ces différentes techniques permettent de déterminer la signature électrique des défauts, leur concentration et leur localisation. Ce travail s’inscrit dans le cadre de programmes collaboratifs dans lesquels l’Institut Néel est engagé au niveau national et international. Des composants en diamant et en Ga₂O₃ seront étudiés pendant le stage.