Our research group focuses on a family of semiconductors called wide bandgap (GaN and ZnO) and ultra-wide bandgap (diamond, AlN and Ga2O3). The driving force is the development of innovative electronic devices based on these materials for power electronics, light emitting devices and sensors. For this purpose, our activities include fundamental studies such as heterostructures, electron or exciton transport in nanowires, impurity centres or electron-phonon coupling and superconductivity, as well as the technological developments necessary for the fabrication of devices with tailored electronic properties, such as epitaxial growth with in-situ control, nanofabrication, impurity incorporation and gate oxide deposition.
Diamond device
Plasma image during plasma enhanced chemical vapor deposition diamond growth
Ensemble of AlN nanowires pn junction: contact and electrical measurement
Position type: Stages Master-2 & Thèse
Contact: Philippe FERRANDIS - 0476887464
Le présent sujet de stage M2 vise à définir la ou les méthodologies de réalisation d’échantillons aptes à qualifier par DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy), DLOS (Deep Level Optical Spectroscopy) ou photocourant la signature et la densité des défauts.
La ou le stagiaire devra réaliser par lui-même toutes les étapes de réalisation d’un nouveau composant, débutant par la conception des masques de photolithographie, toutes les étapes technologiques et éventuellement s’assurer par des mesures DLTS, DLOS ou photocourant de la pertinence de la solution technologique choisie.
Les étapes technologiques seront principalement réalisées à la PTA.
Position type: Stages Master-2 & Thèse
Contact: Philippe FERRANDIS - 04 76 88 74 64
L’objectif du stage est de détecter les défauts électriquement actifs dans les couches actives des composants par des mesures de courant-tension, capacité-tension, spectroscopie de transitoires de niveaux profonds électrique et optique, spectroscopie d’admittance, etc… Ces différentes techniques permettent de déterminer la signature électrique des défauts, leur concentration et leur localisation. Ce travail s’inscrit dans le cadre de programmes collaboratifs dans lesquels l’Institut Néel est engagé au niveau national et international. Des composants en diamant et en Ga2O3 seront étudiés pendant le stage.
Person in charge: Julien PERNOT
Etienne BUSTARRET
Personnel Chercheur - CNRS
Etienne.Bustarret@neel.cnrs.fr
Phone: 04 76 88 74 68
Office: D-422
Philippe FERRANDIS
Personnel Chercheur - UGA
philippe.ferrandis@neel.cnrs.fr
Phone: 04 76 88 74 64
Office: D-417
Etienne GHEERAERT
Personnel Chercheur - UGA
Etienne.Gheeraert@neel.cnrs.fr
Phone: 04 56 38 70 84
Office: D-309
Julien BASSALER
Personnel Chercheur - CNRS
Phone: 04 76 88 74 69
Office: D-423
Referent: Philippe FERRANDIS
Jesus CANAS
Personnel Chercheur - CNRS
Office: D-315
Referent: Etienne GHEERAERT
Timothée LASSIAZ
Personnel Chercheur - ALEDIA
Phone: 04 76 88 74 72
Office: D-315
Referent: Julien PERNOT
Corentin LE-MAOULT
Personnel Chercheur - CEA
corentin.le-maoult@neel.cnrs.fr
Office: CEA-X
Referent: Etienne GHEERAERT
Alexandre PORTIER
Personnel Chercheur - UGA
alexandre.portier@neel.cnrs.fr
Phone: 04 76 88 74 72
Office: D-315
Referent: Julien PERNOT
José VILLAFUERTE-DIAZ
Personnel Chercheur - CNRS-LMGP
jose.villafuerte-diaz@neel.cnrs.fr
Phone: 04 76 88 74 69
Office: D-423
Referent: Julien PERNOT