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Electrical manipulation of a single electron spin in CMOS using a micromagnet and spin-valley coupling

Parmi les candidats pour la réalisation d’un qubit de spin, les électrons uniques piégés dans des structures transistors CMOS semblent prometteurs de par la fiabilité de fabrication et la compatibilité avec l’industrie microélectronique.
Dans ce travail, nous avons montré qu’en intégrant un microaimant dans la chaine de fabrication, nous pouvions créer un couplage entre le déplacement de l’électron et le champ magnétique qu’il subit. Ce mécanisme nous a permis de réaliser le contrôle cohérent d’un qubit de spin dans une structure industrielle et d’étudier l’environnement électrique et magnétique de l’électron à l’échelle nanoscopique.