Institut Néel Grenoble
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Composants élémentaires diamant
Le diamant possède une grande bande interdite (5.5 eV) due à la très forte liaison covalente entre atomes de carbone et il peut être dopé pour devenir un semiconducteur de type p ou de type n. Il est possible de réaliser des contacts métalliques de type redresseur ou ohmique en maîtrisant les réactions de carburation et de le graver. Ce sont les principales propriétés qui le rende attractif pour la réalisation de composants électroniques et optoélectroniques, et aussi de transducteurs. Grâce à ses propriétés électroniques, le diamant est capable de supporter des champs électriques de plusieurs MV/cm avec de faibles courants de fuite, d’où son utilité dans la réalisation de composants pour l’électronique de puissance sous haute tension et haute température, soit unipolaires (diodes Schottky, transistor MESFET ou transistor "delta doping", interrupteur commandé par faisceau d’électrons, …), soit bipolaires (diode pn, transistor bipolaire, IGBT, …). Dans le second cas, la forte mobilité des trous est un atout incontestable en comparaison des autres semiconducteurs à grande bande interdite. Certains de ces composants sont capables de détecter ou d’émettre de la lumière UV. Grâce aux possibilités de greffage d’espèces sur sa surface, des biocapteurs et des dispositifs électrochimiques sont en cours d’étude.
Cohérence quantique - CQ
Révéler des phénomènes quantiques dans des circuits électroniques nanométriques
Hélium : du fondamental aux applications - HELFA
Hélium comme système modèle, hydrodynamique et turbulence, spatial et astrophysique, instrumentation et développement cryogénique.
Magnétisme et Supraconductivité - MagSup
Equipe Magnétisme et supraconductivité à l’Institut NEEL - Systèmes impliquant différents degrés de liberté comme la charge, le spin ou le réseau.
Optique et Matériaux - OPTIMA
Rassembler une chaine de compétence complète qui va de la synthèse et l’élaboration de matériaux nouveaux à l’étude des propriétés optiques non linéaires et plasmoniques
Matériaux, Rayonnements, Structure - MRS
Compréhension des propriétés physico-chimiques de matériaux complexes sur la base d’une connaissance fine de leur structure
Micro et NanoMagnétisme - MNM
Complementary expertise in fabrication, characterisation, and simulations for studies in nanomagnetism with applications in spin electronics and micro-systems
Nano-Electronique Quantique et Spectroscopie - QNES
Transport électronique et spectroscopie locale de structures quantiques
Nano-Optique et Forces - NOF
Nano - optique et forces
Nanophysique et Semiconducteurs - NPSC
Élaboration de nanostructures de semi-conducteurs III-V et II-VI et étude de leurs propriétés physiques en vue de nouvelles fonctionnalités
Nanospintronique et Transport Moléculaire - NanoSpin
Studying magnetism at the nanoscale, where classical and quantum properties can be combined and used for molecular quantum spintronics
Semi-conducteurs à large bande interdite - SC2G
De la physique du diamant et autres semi-conducteurs à grand gap vers les applications en électronique et biotechnologies
Surfaces, Interfaces et Nanostructures - SIN
Etudes expérimentales et théoriques de systèmes de basse dimensionnalité
Systèmes hybrides de basse dimensionnalité - HYBRID
Propriétés électroniques, optiques, vibrationnelles, mécaniques, et leur couplage à l’échelle quantique, de nouveaux systèmes hybrides (nanotubes, graphène, matériaux bi-dimensionnels, fonctionnalisés) que l’équipe développe.
Théorie de la Matière Condensée - TMC
Phénomènes physiques nouveaux dans les matériaux et systèmes modèles.
Thermodynamique et biophysique des petits systèmes - TPS
Instrumentation ultrasensible pour sonder les propriétés électronique et thermique : de la matière condensée à basse température aux systèmes biologiques à l’ambiante.
Théorie Quantique des Circuits - ThQC
Étude théorique du transport électronique dans des dispositifs nanométriques aux propriétés quantiques remarquables.
Ultra-basses températures - UBT
La physique quantique à la limite des ultra-basses températures.All diamond and diamond/carbon nanotube composite electrode for neurophysiological studies : form the material to the interfacial devices
Boron doped diamond electrode contact line wrapped in intrinsic nanocrystalline diamond
Diamond for high power Schottky diode
The current-voltage (I–V) characteristics at room temperature of diamond Schottky diodes based on zirconium and ITO are shown on Figure 1. Zirconium Schottky contacts exhibited an extremely good rectification behavior characterized by a high current density 103 A/cm2 (at 6 V), a reverse current... > read more
Metal oxide semiconductor structure using oxygen-terminated diamond
The high breakdown electric field, the elevated mobility and the outstanding thermal conductivity make diamond the ultimate semiconductor for high power and high frequency applications. Intensive works and important progresses have been done recently in the field of substrate fabrication,... > read more