Les semi-conducteurs à grande bande interdite ont longtemps été considérés comme des isolants électriques. Cependant, si on utilise des techniques expérimentales appropriées, la fabrication (souvent à Nanofab) de contacts métalliques ohmiques ou redresseurs permet des mesures très sensibles de leurs propriétés de transport transitoires ou permanentes, en fonction du dopage et des conditions d’élaborations des couches minces. Des expériences en température (de 40 mK à 1100K, mais en collaboration pour T < 77 K) permettent de caractériser les défauts électriquement actifs, les processus de diffusion des porteurs, ainsi que les transsitions de phase électronique.
Wire-based devices have been considered as a promising new route toward improved electronic and optoelectronic applications thanks to their desirable intrinsic properties such as small footprints and improved strain relaxation. Along with a careful axial and/or radial design of doping levels... > read more
Hall hole mobility of boron doped homoepitaxial (100) diamond samples has been investigated in the temperature range of 100–900 K, both experimentally and theoretically. The temperature dependence of the mobility measured in high-quality and low boron-doped materials was compared with... > read more
Les propriétés de transport électronique à basse température ont été étudiées dans des couches de diamant dopées au bore élaborées par homo-épitaxie selon 100 et 111. Le système présente une transition isolant-métal induite par le dopage lorsque la concentration de bore nB atteint une valeur critique nc = 4.5... > read more