Accueil du site Le Laboratoire Equipes de recherche Semi-conducteurs à large bande interdite - SC2G Recherche Transport électronique et supraconductivité dans les semiconducteurs

Transport électronique et supraconductivité dans les semiconducteurs

Les semi-conducteurs à grande bande interdite ont longtemps été considérés comme des isolants électriques. Cependant, si on utilise des techniques expérimentales appropriées, la fabrication (souvent à Nanofab) de contacts métalliques ohmiques ou redresseurs permet des mesures très sensibles de leurs propriétés de transport transitoires ou permanentes, en fonction du dopage et des conditions d’élaborations des couches minces. Des expériences en température (de 40 mK à 1100K, mais en collaboration pour T < 77 K) permettent de caractériser les défauts électriquement actifs, les processus de diffusion des porteurs, ainsi que les transsitions de phase électronique.

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    Les semi-conducteurs à grande bande interdite ont longtemps été considérés comme des isolants électriques. Cependant, si on utilise des techniques expérimentales appropriées, la fabrication (souvent à Nanofab) de contacts métalliques ohmiques ou redresseurs permet des mesures très sensibles de leurs propriétés de transport transitoires ou permanentes, en fonction du dopage et des conditions d’élaborations des couches minces. Des expériences en température (de 40 mK à 1100K, mais en collaboration pour T < 77 K) permettent de caractériser les défauts électriquement actifs, les processus de diffusion des porteurs, ainsi que les transsi+++++ alt - fin news -->

    Les semi-conducteurs à grande bande interdite ont longtemps été considérés comme des isolants électriques. Cependant, si on utilise des techniques expérimentales appropriées, la fabrication (souvent à Nanofab) de contacts métalliques ohmiques ou redresseurs permet des mesures très sensibles de leurs propriétés de transport transitoires ou permanentes, en fonction du dopage et des conditions d’élaborations des couches minces. Des expériences en température (de 40 mK à 1100K, mais en collaboration pour T < 77 K) permettent de caractériser les défauts électriquement actifs, les processus de diffusion des porteurs, ainsi que les transsi ight="36" alttie-->

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