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Le programme ULTIMA CBED

Developped by S. PAIRIS, the Ultima CBED program is a free sofware
dedicated to Convergent-Beam Electron Diffraction patterns obtained in transmission electron microscopy in two-beam conditions.

To determine the thin foil thickness, the Ultima CBED software uses the Kelly’s method and the Kossel-Möllenstedt fringes’ positions in the diffracted disk.

This software used to determine the foil thickness of crystallized specimens by the Kelly’s method. After the input of instrumental and cristallographic parameters (High Voltage, hkl interplanar spacing of the diffracted beam, extinction distance \xi, if possible the anomalous absorption distance) and of the experimental parameters (diameter of the disk, distance between diffracted and transmitted disks, distance between two symmetric fringes in the diffracted disk), the program calculates the deviation parameters Si. The thickness is obtained from a linear regression. It is then used to simulate the rocking-curve and the diffraction pattern corresponding to the conditions given by the user and to the same thickness. The convergence angle and the experimental camera length are calculated too.

In a second step, it’s possible to simulate CBED pattern in two-beam conditions by enterring the thickness, the convergence of the beam, the interplanar distance of the diffracted beam and the extinction distance. The pattern can be simulated either in kinematical or dynamical approach. The rocking – curve is plotted.

Finally, Ultima CBED enables to simulate (with kinematical or dynamical theory) intensity maps as a function of the thickness and of the deviation parameters Si. A cursor in a scrollbar can be moved in order to select the thickness. When the cursor is moved on the map, the modulations of the intensity (rocking – curve) and the simulated pattern are plotted on-line.

The linear regressions and the rocking – curves can be saved in text or picture format. The patterns and the maps can be saved in picture format.

ULTIMA CBED

JPEG - 49.1 ko
Map and pattern simulations for Si(220)
Thickness [200nm to 265 nm] - 300kV and 0,23° convergent beam : the modulations of the intensity (rocking – curve) and the simulated pattern are plotted on-line
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