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Séminaire PLUM

Jeudi 11 Avril à 16h
Salle Erwin Bertaut, F418

Orateur : Cédric Masante (Institut Néel)
"Transistor MOS en diamant pour l’électronique de puissance"

Abstract

Ces dernières années ont vu l’apparition de composants d’électronique de puissance utilisant des semiconducteurs « grands gaps » au lieu du silicium. Parmi eux, le SiC et le GaN ont atteint le niveau de maturité industriel, mais d’autres matériaux encore plus prometteurs sont étudiés, dont le diamant qui présente des propriétés physiques exceptionnelles. L’intérêt pour ces matériaux est de faire face aux limites physiques du silicium : les composants l’utilisant requièrent des architectures de plus en plus complexes pour augmenter leurs performances. Dans ce contexte, l’intérêt du diamant et les récentes avancées vers la fabrication de transistor MOS efficaces seront présentés. Une vue générale des possibilités offertes par ce matériau, mais aussi ses limites et challenges à surmonter seront exposés.

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