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Séminaire PLUM

Jeudi 6 décembre à 15h30,
Salle Erwin Bertaut, F418

"Delafossites en hétéro-épitaxie sur ZnO (001) : une nouvelle voie vers des hétérojonctions électroluminescentes ?"
Orateur : Pierre MURET (SC2G)

Abstract

les progrès réalisés pendant les années 2000 dans les calculs de structure de bande des oxydes et des semi-conducteurs II‑VI, III‑V ou IV‑IV ainsi que la mise en évidence expérimentale ou théorique des niveaux d’impureté dans ces matériaux, ont permis de comprendre pourquoi la recherche d’un moyen de dopage de type opposé à celui présent naturellement dans certains semi-conducteurs a toujours été vaine. C’est le cas pour ZnO qui possède des propriétés optiques pouvant rivaliser avec celles des nitrures de III mais pour lequel les tentatives de dopage de type p n’ont jamais abouti depuis plus de 50 ans. Pour réaliser une jonction p-n basée sur ZnO, on montre que les matériaux de type « delafossite » au cuivre conviennent pour la partie de type p et que l’on peut faire un choix parmi ces matériaux qui autorise l’hétéro-épitaxie sur la face (001) de ZnO. Les propriétés structurales et optiques de la delafossite choisie sont démontrées expérimentalement et celles relatives au dopage sont discutées sur la base de diverses propriétés. Les perspectives d’émission de lumière visible par électroluminescence dans des hétéro-jonctions delafossite sur ZnO (001) et les conditions à remplir pour atteindre cet objectif sont présentées.

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