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Séminaire PLUM

Jeudi 23 mars à 16h,
Salle Erwin Bertaut, F418

Orateur : Didier CHAUSSENDE (équipe SC2G)
"Cristallogenèse des semi-conducteurs à grand gap pour l’électronique de puissance"

Abstract

Les semi-conducteurs à grand gap (GaN, SiC, diamant) sont en train d’opérer une véritable révolution dans l’électronique de puissance. Généralement en compétition, ils partagent tous un point commun : leur cristallogenèse, à la base de la filière technologique, est extrêmement difficile. Le diamant est le matériau le moins avancé à ce jour. Je présenterai brièvement les spécificités de chaque matériau, en essayant d’extraire quelques bonnes idées des technologies SiC et GaN et de discuter leur possible application au cas du diamant. Enfin, je présenterai quelques résultats préliminaires d’hétéroépitaxie de diamant sur SiC, et plus si toutefois ça veut bien marcher d’ici là !

Wide bandgap semiconductors (GaN, SiC, diamond) are currently operating a revolution in power electronics. Usually competitors, they all share a common feature : their crystal growth is extremely difficult. Diamond is the less advanced one. I will briefly present the specificities of each materials, trying to discuss applicability of some of the good ideas which have been developed for SiC and GaN to the case of diamond. Finally, I will present some preliminary results, hot just out of the oven, for the heteroepitaxial growth of diamond on SiC.

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