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Séminaire découverte



Jeudi 7 avril à 10h30,
salle Rémy Lemaire, K223

Orateur : Didier Chaussende (LMGP)
"Cristaux massifs de carbure de silicium pour l’électronique de puissance : 20 ans de travaux Grenoblois en 20 transparents"

Abstract

Le carbure de silicium (SiC) est un semi-conducteur à grand gap, qui est en train de révolutionner l’électronique de puissance. Pourtant, découvert à la fin du 19éme siècle, ce composé, exclusivement synthétique, fut un des premiers semi-conducteurs identifiés (1907). Il aura fallu plus de 50 ans de travaux, notamment sur sa cristallogenèse pour en faire un matériau semi-conducteur industriel. Les contraintes imposées par sa physicochimie (fusion non congruente à très haute température, très forte réactivité du silicium liquide ou gazeux, plusieurs dizaines de polymorphes référencés ...) furent à l’origine d’une « cristallogenèse en conditions extrêmes » tout à fait particulière, développée en marge des méthodes usuelles.
A ce jour, des lingots monocristallins « quasi-parfaits » de SiC sont produits industriellement par une méthode de sublimation de poudre à plus de 2300°C. Je présenterai notamment la contribution des laboratoires Grenoblois dans le développement de cette technologie.

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