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Séminaire mensuel Néel

Mardi 17 septembre à 09h30,
salle Nevil Mott - D420

Orateur : Pierre MALLET
"Propriétés électroniques du graphène sur carbure de silicium : l’apport de la Microscopie à Effet Tunnel"

Abstract

Le graphène, un plan unique d’atomes de carbone dans une structure en nid d’abeille, a toujours le vent en poupe, du fait de ses remarquables propriétés (électroniques, mécaniques, thermiques, optiques…), qui laissent présager au sein de la communauté des applications potentielles dans différents domaines. A l’Institut Néel, notre groupe s’intéresse aux aspects fondamentaux liés aux propriétés électroniques de ce matériau. Nous nous sommes focalisés sur la synthèse directe (sans report) du graphène sur carbure de silicium, un matériau semi-conducteur à grand gap. Cette activité a débuté en 2006, et j’évoquerai le contexte scientifique associé à ce démarrage. Je présenterai ensuite quelques systèmes qui nous ont intéressés jusqu’ici, et montrerai comment nous étudions leur structure atomique et électronique grâce aux techniques de Microscopie et Spectroscopie à Effet Tunnel. J’essaierai d’établir qu’il s’agit d’outils de choix pour :
1) identifier la nature des états électroniques du graphène (fermions de type Dirac),
2 ) étudier à l’échelle atomique l’impact du substrat sur ces états électroniques,
3 ) explorer la structure électronique exotique de multiplans de graphène avec désordre rotationnel interplan.

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